是单质硅的一种形态，熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以晶格形态排列成晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅

　　硅的主要评判指标是纯度，你想想，如果硅原子之间有一堆杂质，那电子就别想在满轨道和空轨道之间跑顺畅，无论啥东西，纯度越高制造难度越大，多晶硅按照产品纯度的不同分为工业／金属硅、冶金级、太阳能级、电子级。用于光伏生产的太阳能级多晶硅一般纯度在6N～9N之间（即99．9999％～99．9999999％，几个9即是几N），应用于芯片的硅要求纯度达到11N，详细可参考半导体全面分析（三）：制造三大工艺，硅片五大巨头！

　　2020 年全球多晶硅产量 52．1 万吨 500 亿，中国 39．6 万吨 400 亿占 76％（按平均价格10万元／吨测算）

　　西门子法是1955 年德国西门子以氢气H2还原高纯度三氯氢硅SiHCl3，在1100℃硅芯／硅棒上沉积多晶硅

　　改良西门子法又称闭环西门子法，第一步工业硅粉与氯化氢或四氯化硅SiCl4和氢气反应制备三氯氢硅SiHCl3，第二步是三氯氢硅分离提纯，第三步是三氯氢硅和氢气多晶硅还原炉内 1100℃ 硅芯表面沉积生长成多晶硅棒，增加尾气回收工艺

　　FBR 流化床法 Fluidised Bed Reactor 又称沸腾床，原理是将原料像气流一样从流化床反应器底部注入上升到中间加热区进行反应生成硅，下部气体让硅籽晶沸腾处于悬浮状态，硅沉积在硅籽晶上不断生长成硅颗粒沉降到反应器底部排出颗粒硅

　　硅烷流化床法将四氯化硅、H2、冶金硅、HCl 为原料在流化床高温高压下氢化生成三氯氢硅，再加氢反应生成二氯氢硅，再生成硅烷气，硅烷气通入流化床热分解（500～700℃）并沉积在硅籽晶（载体）表面形成颗粒硅